(SiC) 衬底激光剥离从动化处理方案。该方案大幅降低损耗，提拔加工速度，推进了碳化硅行业的降本增效。天岳先辈发布了业界首款 300mm 的 N 型碳化硅衬底。更大的衬底尺寸扩大了单一晶圆上可用于芯片制制的面积，降低了边缘丧失比例，而这也带来了对 12 英寸及以上的超大尺寸碳化硅衬底切片手艺的需求。

　　西湖仪器开辟的新手艺实现了晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程的从动化，仅需正在后续减薄工序中将上下概况共去除约 80-100μm 的材料，具有更低原料损耗率，此外衬底出片时间也大幅缩短。